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研磨/减薄
• 支持：Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等
• 均匀性：±2um
• 减薄厚度：≥100um
 
抛光
• 支持：Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等
• 表面粗糙度：1-50nm

激光切割
• 支持：Si基MEMS产品　
• 样品厚度：100-700μm 　
• 切割宽度：≤10μm
• 样品尺寸：8寸（向下兼容）

刀片晶圆切割　
• 支持：Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，电路板（8英寸卡盘，不同材料选用不同刀片）　
• 切割道宽度：≥50um

挑粒
• 处理尺寸：6、8寸原材料，可挑取最小150um的芯片
• 选件：提供背面、边缘检查选件，芯片翻转选件
• UPH：700~1200，取决于产品